Uma junção p-n é obtida quando se fabrica um semicondutor tipo-p
justaposto a um tipo-n. Na região de interface entre os dois, haverá tendência
dos elétrons a migrar para a região tipo-p, e dos buracos a migrar para a região
tipo-n. Dessa forma a região tipo-n torna-se carregada positivamente por haver
capturado buracos, e a região tipo-p torna-se carregada negativamente por
haver capturado elétrons. Um campo elétrico portanto se estabelece, com uma
diferença de potencial tipicamente da ordem de 1V.
O dispositivo resultante de uma junção p-n, é chamado de diodo semicondutor. Ele pode ser polarizado de modo a favorecer
ou a bloquear a passagem de corrente .Se aplicamos uma diferença de potencial entre os terminais p e n, de
modo que do lado n o potencial seja inferior ao do lado p, estaremos
favorecendo a migração de portadores de carga através da junção. Haverá
portanto passagem de corrente pelo diodo. Aqui notamos que o movimento de
elétrons é oposto ao que convencionalmente adotamos para simbolizar a
direção da corrente elétrica (do potencial positivo para o negativo).
Invertendo a diferença de potencial, ou seja, aplicando ao lado n um
potencial superior ao do lado p, estaremos confinando ainda mais os elétrons à
região p e os buracos à região n. Neste caso somente uma pequena corrente O dispositivo resultante de uma junção p-n, é
chamado de diodo semicondutor. Ele pode ser polarizado de modo a favorecer
ou a bloquear a passagem de corrente, Se aplicamos uma diferença de potencial entre os terminais p e n, de
modo que do lado n o potencial seja inferior ao do lado p, estaremos
favorecendo a migração de portadores de carga através da junção. Haverá
portanto passagem de corrente pelo diodo. Aqui notamos que o movimento de
elétrons é oposto ao que convencionalmente adotamos para simbolizar a
direção da corrente elétrica (do potencial positivo para o negativo).
Invertendo a diferença de potencial, ou seja, aplicando ao lado n um
potencial superior ao do lado p, estaremos confinando ainda mais os elétrons à
região p e os buracos à região n. Neste caso somente uma pequena corrente residual passa pela junção, em direção oposta à anterior. A magnitude desta
corrente residual depende da temperatura, da concentração de impurezas p e
n, e está também relacionada com as características do material semicondutor.
Sob polarização reversa, a região de interface da junção p-n fica desprovida de
portadores de carga. Quanto maior a diferença de potencial reversa, maior a
região desprovida de portadores de carga, chamada de ‘região de depleção’.
O comportamento da corrente, I, em função do potencial aplicado, V,
pode ser estimado e resulta em:
I = I0(exp^(exp(V)/exp(KT) - 1)
I0 = Kexp^ - exp(V0)/KT
Onde Vo é a diferença de potencial presente quando a junção está em
equilíbrio (sem potencial externo aplicado) e K uma constante determinada
pelas propriedades geométricas da junção e pelas características do
semicondutor. Io é a corrente residual mencionada acima, chamada de
‘corrente de saturação
Então conclui-se que para polarizar um diodo é necessário aplicar uma diferença de potencial em suas extremidades,
podendo ser direta ou indiretamente.
2007-02-24 01:23:02
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answer #1
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answered by jorge oberdan 3
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Vamos tentar explicar alguma coisa!
O diodo é um dispositivo semi-condutor de germânio, silício, etc, formado por uma junção PN que formam o anodo e o catodo. A corrente circula através do diodo no sentido contrário à seta que é o anodo. Existem duas polarizações, que são denominadas direta e inversa. Na polarização direta, quando é aplicado um potencial positivo no anodo e negativo no catodo, há circulação de corrente; na polarização inversa, inverte-se o potencial e, consequentemente, não há circulação de corrente.
2007-02-22 17:15:20
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answer #2
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answered by Tio Fernando 3
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