急~~~有關奈米及半導體的問題(20點)

Question

In our case, a doping concentration of 1018 cm-3 will cause a 30nm thickness of depletion layer in the theoretical simulation [9]

Answer 1

就我們的例子來說﹐以理論來模擬1018 cm-3的摻雜濃度會帶來30奈米厚的空乏層.

(這是半導體/電子學論文中的一小段﹐如果你能給我更多的上下文﹐了解整個研究過程的話﹐我就可以翻的更準確。)

2007-04-24 15:25:08 補充：
[9]指的是論文最底下所附帶的參考文獻序號

Answer 2

在我們的情況， 1018 cm－3 的攙雜集中將引起理論上的模擬的 30 nm 厚度的消耗層〔9]

Answer 3

你要問翻譯還是問什麼？