n-MOSFET 偏壓在恆流區（飽和區）時，下列何者正確

Question

(A) 通道中導電的載子是電洞；
(B) 靠近源極的通道電洞密度很小；
(C) 外部電路電流由源極進入電晶體；
(D) 外部電路電流由汲極進入電晶體；
(E) 通道中的電流是由源極流向汲極。

Answer 1

n-MOSFET 偏壓在恆流區（飽和區）時，下列何者正確


(A) 通道中導電的載子是電洞； x
電子

(B) 靠近源極的通道電洞密度很小； x
通道電洞密度跟電子 比起來 機忽是零

(C) 外部電路電流由源極進入電晶體； x

(D) 外部電路電流由汲極進入電晶體； O

(E) 通道中的電流是由源極流向汲極。 x
汲極 =>

Answer 2

功率型金屬氧化層場效電晶體(Power Metal Oxide Semiconductor Field Transistor ﹐Power MOSFET )是一種多載子導電的單極型電壓控制元件，它具以下特點:
開關速度快、高頻率性能好，輸入阻抗高、
驅動功率小、熱穩定性優良、無二次擊穿問題、
全工作區寬、工作線性度高等等，其最重要的優點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者一種高速度、高功率、高電壓、與高增益的元件。在各類中小功率開關電路中應用極為廣泛。
基本MOSFET的定義
MOSFET的電路符號如下，此為N通道的MOSFET，當然亦有P通道的MOSFET，其電路符號中的箭頭方向剛好與N通道相反。MOSFET和BJT最代不同在於其為多數載子半導體元件，而BJT為少數載子半導體元件。
基本結構

Power ＭOSFET是一種功率集成元件，它由成千上萬個小型MOSFET並聯而成。下圖所示為N通道(N-channel)MOSFET的單元結構剖面示意圖。 圖中
* 兩個n+ 分別作為該元件的源極(Source)和汲極(Drain)，分別引出源極(Source)和汲極(Drain)
* 夾在n+(n-)區間的P區隔著一層SiO2的介質作為閘極(gate)








圖片參考：http://pemclab.cn.nctu.edu.tw/W3sps/D2D/IMAGES/Power%2070.gif
gate和兩個n+區和P區均為絕源結構，因此MOS結構的FET又稱絕源閘極場效電晶體(insulation gate field effect transistor)。
由圖可知功率型場效電晶體的基本結構仍為n+(n-)pn+ 形式其中參雜較輕的n-區為漂移區用以提高元件的耐壓能力。在這種元件中汲極(drain)源極(source)之間有兩個背靠背的PN接面存在在閘極(gate)未加電壓信號之前無論drain與source之間加正電壓或負電壓該元件總處於阻斷狀態(off)。為使drain與source之間流過可控的電流必須具備可控的導電通道(channel length)才能實現。

MOSFET靜態操作點的特性
MOSFET的輸出特性曲線有兩各顯著的操作區域，稱為”恆定電流阻區”與”恆定電流區”，當drain至source電壓增加時，drain電流亦會成比例地增加，直到drain至source電壓達到夾止(pinch off)電壓時，drain電流才會保持恆定之值。
當功率型MOSFET被當作開關做作用時，drain與source之間的電壓降會正比於drain電流；這也就是功率型MOSFET工作於恆定電阻區(constant resistance region)，且其動作狀態基本上就是一個電阻性元件，因此，功率型MOSFET在處於ON狀態時的電阻值RDS，on，此值乃為最重要的參數值，因在所給drain電流情況下，可決定其功率之損失大小。Drain電流開始產生是在臨界閘電壓(threshold gate voltage)供給以後，通常此電壓值是介於2v到4v之間。超過此臨界閘電壓後，drain電流和gate電壓之間的關係幾乎是相等的。
互導(transconductance) gfs 就可定義為drain 電流對gate電壓的變化率。

參考網頁:
http://pemclab.cn.nctu.edu.tw/W3sps/D2D/PAGES/Power%20Mosfet.htm