o que é dixido de sílicio?

Question

quero saber sobre sua função no dispositivo eletrônico mosfet

Answer 1

Uma fina camada de dióxido de silício isola o terminal de gate (ou porta) do material semicondutor, portanto a sua função é isolante. Essa fina camada pode ser danificada pela eletricidade estática, por isso não é recomendável encostar os dedos nos terminais de alguns circuitos integrados que utilizam a tecnologia MOS.
Espero ter contribuido para esclarecer a sua dúvida... Um grande abraço!!!

Answer 2

O composto químico dióxido de silício, também conhecido como sílica, é o óxido de silício cuja fórmula química é SiO2.

Sílica Gel Dessecante

Sílica Gel é um produto sintético, produzido pela reação de silicato de sódio e ácido sulfúrico. Assim que misturados, formam um hidrosol, que lentamente se contrai para formar uma estrutura sólida de Sílica Gel, chamada hidrogel. O gel sólido é quebrado e lavado para remover o subproduto da reação, o sulfato de sódio, e criar sua estrutura porosa. A seguir, o gel é processado para chegar a diferentes produtos, como:

Sílica Gel Dessecante Sílica Telefônica Sílica Gel Micronizada Sílica Precipitada Sílica Cosmetic (esfoliante)

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polisilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs. O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido.


O terminal de comporta é uma camada de polisilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido é do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar. Variando-se a tensão entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possível se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

Existem também modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito úteis e com grande utilização na indústria eletrônica