模擬發光二極體磊晶發光，因該設整顆發光還是頂面發光?

Question

1.請問LED CHIP 是P-N接合點那層發光嗎?那光是從頂層、側面還是整顆發出?
2.請問模擬發光二極體磊晶發光，因該設整顆發光還是頂面發光?(若要與真實情形相符)
3.若CHIP為整顆發光，那各面發光佔百分比多少?(ex:頂面xx%，四周xx%)

Answer 1

1. LED有兩種不同的發光類型:
有(1)表面發光型LED(2)側向發光型LED
要看你LED的規格而定
不過這兩種型態都是在PN接面的主動層發光的,只不過(1)是將光從上面導出
(2)是從側面導出

2.
(1)依照發光類型可再分為:
(1-a)monolithic lensed:
正上方加裝一個n-AlGaAs突起層,可將發光點的面積稍微放大
(1-b)hermispherically shaped:
這種發光角度很大,幾乎從主動區側面與正面以上的範圍都有發光

(2)的類型可分:
(2-a)guiding layer emission:
主動區會侷限光,使光只會在主動區傳遞,最後再主動區兩側射出光能
(2-b)current confined emission:
藉由電流影響主動層僅朝一邊的側面發光

3.整顆發光那應該是hermispherically shaped的LED,不過也要看你的主動區厚度與半徑而定