何謂蝕刻？應該注意哪些事項？

Question

如題！我學校實習課要上，但是不知道在學校怎麼搞『蝕刻』？
老師要我們自己找？泣…
還有蝕刻時要注意哪些事項？
請各位大大幫幫小弟忙！！

Ｐ.Ｓ.請問現在業界怎麼弄這種東西啊？真是難懂。>\"<....

Answer 1

蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。

蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『乾蝕刻』(dry etching)兩類。在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的複合作用。

在航空、機械、化學工業中，蝕刻技術廣泛地被使用於減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，名牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工。在半導體製程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶淬噴灑至晶片上，經由溶液與被蝕刻物間的化學反應，來移除薄膜表面的原子，以達到蝕刻的目的。濕蝕刻三步驟為擴散→反應→擴散出。

乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(Plasma Etching)，由於蝕刻作用的不同，電漿中離子的物理性轟擊(Physical Bomboard)，活性自由基(Active Radical)與元件(晶片)表面原子內的化學反應(Chemical Reaction)，或是兩者的複合作用，可分為三大類：
一、 物理性蝕刻：(1) 濺擊蝕刻(Sputter Etching) (2) 離子束蝕刻(Ion Beam Etching)
二、 化學性蝕刻：電漿蝕刻(Plasma Etching)
三、 物理、化學複合蝕刻：反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching 簡稱RIE)

電漿(Plasma)：
電漿是一種由正電荷（離子），負電荷（電子）及中性自由基(Radical)所構成的部份解離氣體(Partially Ionized Gas)。 當氣體受強電場作用時，氣體可能會崩潰。一剛開始電子是由於『光解離』(photoionization)或『場放射』(field emission)的作用而被釋放出來。這個電子由於電場的作用力而被加速，動能也會因而提高。電子在氣體中行進時，會經由撞擊而將能量轉移給其他的電子。
電子與氣體分子的碰撞是彈性碰撞。然而隨著電子能量的增加，最終將具有足夠的能量可以將電子激發，並且使氣體分子解離。此時電子與氣體分子的碰撞則是非彈性碰撞，最重要的非彈性碰撞稱為『解離碰撞』(ionization collision)，解離碰撞可以釋放出電子。而被解離產生的正離子則會被電場作用往陰極移動，而正離子與陰極撞擊之後並可以再產生『二次電子』。如此的過程不斷連鎖反覆發生，解離的氣體分子以及自由電子的數量將會快速增加。一旦電場超過氣體的崩潰電場，氣體就會快速的解離。這些氣體分子中被激發的電子回復至基態時會釋放出光子，因此氣體的光線放射主要是由於電子激發所造成。

Answer 2

蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。
蝕刻技術可以分為-濕蝕刻-及-乾蝕刻兩類。在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻,電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的複合作用。
在航空、機械、化學工業中，蝕刻技術廣泛地被使用於減輕重量儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工。在半導體製程上，蝕刻更是不可或缺的技術。
以上...