半導體的相關製程&解答..

Question

解釋名詞..急件!!拜託各位囉..
1.臨界尺寸
2.MOSFET
3.乾進乾出CMP
4.覆晶接合
5.CZ矽單晶生長法
6.FZ矽單晶生長法
7.覆晶接合-
8.CZ矽單晶生長法
9.FZ矽單晶生長法
10.晶種
11.Dash technique
12.裸露區
13.本質吸附
14.被面損傷
15.磊晶
16.自動摻雜
17.VPE
18.LPE
19.MBE
20.內徑切割機

答案還算可以啦!!
不過我的考試也結束了,所以答案正確與否不重要了..
感謝這位大大的熱心供應..點數就給你囉
希望下次還有機會找您幫忙囉..

Answer 1

1.臨界尺寸
=> critical dimension (CD) 用來定義每一道製程的線徑控制
2.MOSFET
=> 金屬氧化物半導體場效電晶體. Metal (gate) / oxide / Semiconductor 結構的電晶體. 是目前晶片的基本結構
3.乾進乾出CMP
=> CMP = 化學機械研磨, 用於平坦化
=> polishing 會使用slurry. dry in/dry out 是指有附加清洗與乾燥設備於CMP機台
4.覆晶接合
=> Flip chip
=> 一般的封裝是晶片焊墊(pad)朝上,以金線或鋁線連接到基板
=> Flip Chip 是晶片焊墊(pad)朝下,以凸塊(solder bump or gold bump)連接到基板
5.CZ矽單晶生長法
=> 柴氏長晶法. Poly Si 置於石英坩鍋,加熱,融化,以晶種帶出單晶棒的技術.已有300mm(直徑)量產
6.FZ矽單晶生長法
=> Floating zone. 以移動式加熱區,加熱,融化,再凝結長出單晶棒的技術.只有150mm(直徑)量產
7.覆晶接合-
=> 同4
8.CZ矽單晶生長法
=> 同5
9.FZ矽單晶生長法
=> 同6
10.晶種
=> 一小段細細的單晶棒，用以控制成長單晶棒的晶格方向(orientation)
11.Dash technique
=>晶種在長neck的過程變細又變粗的技術.用以消除差排(dislocation)
12.裸露區
=>denuded zone (?). 藉由高溫製程在晶圓表層形成一層低缺陷的區域
13.本質吸附
=> intrinsic gettering. 以晶圓內部缺陷捕捉不純物(多為金屬)的技術
14.被面損傷 (是 “背” 吧)
=> backside damage. 刻意在晶圓背部形成缺陷以捕捉不純物(多為金屬)的技術
15.磊晶
=> Epi-taxial. 在半導體材料上長一層相同或不同材料的單晶結構
16.自動摻雜
=> auto-dopping. 在高溫製程下,由系統中殘留之dopant或來自其他晶圓擴散出來之dopant，擴散到晶圓中 (為非預期之dopping)
17.VPE
=> vapor phase epitaxial. 氣相磊晶法. 以氣態物質反應形成單晶結構
18.LPE
=> liquid phase epitaxial. 液相磊晶法. 以液態物質反應形成單晶結構
19.MBE
=>分子束磊晶法. 超高真空製程. 有控制的將標的分子丟到基材上形成單晶結構
20.內徑切割機
=> Inner Diameter saw. 環形金屬片，內徑鍍上切削粒(如鑽石)，用以切削晶棒

請參考 http://140.114.18.41/micro/index.html , 有更多詳細的介紹

Answer 2

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