晶圓製程大概有那些步驟?

Question

我只知道晶圓主要原料為矽，取於海砂。但很想知道晶圓在製作上到底有那些步驟，如果很複雜，能否告訴我大概的流程就好了，謝謝!

Answer 1

晶圓先經過適當的清洗（Cleaning）之後，送到熱爐管（Furnace）內，在含氧 的環境中，以加熱氧化（Oxidation）的方式在晶圓的表面形成一層厚約數百個的二氧化矽（ ）層，緊 接著厚約1000到2000的氮化矽（ ）層將以 化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition；CVP）的方 式沈積（Deposition）在剛剛長成的二氧化矽上，然後整個晶圓將進行微影（Lithography）的製程，先在晶圓 上上一層光阻（Photoresist），再將光罩上的圖案移轉到光阻上面。接著利用蝕刻（Etching）技術，將部份未 被光阻保護的氮化矽層加以除去，留下的就是所需要的線路圖部份。接著以磷為離子源（Ion Source），對整片晶圓進行磷原子的植入（Ion Implantation），然後再把光阻劑去除（Photoresist Scrip）。製程進行至此，我們已將構成積體電路所需的電晶體及部份的字元線（Word Lines），依光罩所提供的設計圖案 ，依次的在晶圓上建立完成，接著進行金屬化製程（Metallization），製作金屬導線，以便將各個電晶體與元件加以連接，而在每一道步驟加工完後都必須進 行一些電性、或是物理特性量測，以檢驗加工結果是否在規格內（Inspection and Measurement）；如此重複步驟製作第一層、第二層．．．的電路部份，以 在矽晶圓上製造電晶體等其他電子元件；最後所加工完成的產品會被送到電性測試區作電性量測。

Answer 2

嗯~我是半導體ㄉ相關研究者
製程方面有以下方法:
CVD:化學氣相沉積法
PVD:物理氣相沉積法
LPCVD:低溫化學氣相沉積法
乾蝕刻與濕蝕刻
最後要退火以利晶格重新排整
用以上ㄉ專有名詞去查將有更完整ㄉDATA